Elektroniikkapiirit (5 op)
Toteutuksen tunnus: 5051120-3001
Toteutuksen perustiedot
Ilmoittautumisaika
03.12.2018 - 14.01.2019
Ajoitus
07.01.2019 - 30.04.2019
Opintopistemäärä
5 op
Toteutustapa
Lähiopetus
Yksikkö
Tekniikka ja liiketoiminta
Toimipiste
Kupittaan kampus
Opetuskielet
- Suomi
Paikat
0 - 35
Koulutus
- Tieto- ja viestintätekniikan koulutus
Opettaja
- Mauri Suhonen
Ryhmät
-
PTIVIS17Tieto- ja viestintätekniikka S17
-
ICTMODelAMOD Elektroniikka
Tavoitteet
Opintojakson suoritettuaan opiskelija osaa: selittää elektroniikan peruskäsitteet soveltaa sähkötekniikan peruslakeja yksinkertaisen kytkennän analysoimiseksi tunnistaa elektroniikan peruskomponentit ja käyttää niitä yksinkertaisissa kytkennöissä käyttää oikein elektroniikan peruskäsitteitä suullisessa ja kirjallisessa esityksessään.
Sisältö
diodipiirit Zener-piirit operaatiovahvistimen peruskytkennät bipolaariset transistorit JFET- ja MOSFET-piirit
Oppimateriaalit
Mauri Suhonen: Analogisten piirien analyysi
ja
SEDRA/SMITH: Microelectronic circuits.
Opetusmenetelmät
lähiopetus, tehtäväperustaisuus, itsenäinen työskentely, tiimityö
Pedagogiset toimintatavat ja kestävä kehitys
Opintojaksolla opiskellaan elektroniikan perustaitoja, joita ovat yksinkertaisten piirien analysointi ja mitoitus. Näiden taitojen tarkoitus on parantaa opiskelijan valmiuksia ennen kaikkea elektroniikan suuntautumisvaihtoehdon jatko-opinnoissa. Myös sulautettuihin järjestelmiin suuntautuva tarvitsee elektroniikan perustaitoja I/O-piirien rakentamiseen. Tehtävien ratkomisessa opiskelijoita kannustetaan tiimityöskentelyyn. Opintojaksolla käytetään digitaatista opiskelumateriaalia ja jotain tarkoitukseen sopivaa simulaattoria.
Toteutuksen valinnaiset suoritustavat
Opintojakson voi suorittaa kotitehtävillä ja osakokeilla tai loppukokeella. Ensimmäisessä vaihtoehdossa arvosana muodostuu sekä osakokeista että kotitehtävistä kerätyistä pisteistä, toisessa vaihtoehdossa vain loppukokeesta saadut pisteet ratkaisevat.
Opiskelijan ajankäyttö ja kuormitus
Kontaktitunnit 42h. Itsenäinen opiskelu ja opintojakson aikaiset kotitehtävät koko opintojakson ajan + osakokeisiin valmistautuminen 93h.
Sisällön jaksotus
tammikuu - huhtikuu 2019
tammikuu Diodit ja diodipiirit
helmikuu Operaatiovahvistimet ja niiden sovellukset
maaliskuu Bipolaaritransistorit kytkiminä ja vahvistimina
huhtikuu MOSFETit ja niiden sovellukset
Arviointiasteikko
H-5
Arviointimenetelmät ja arvioinnin perusteet
Kotitehtävät (max 24p, lineaarinen taulukko). Arvioidaan jatkuvasti opintojakson aikana. Opiskelijalle jaetaan myös kaikista kotitehtävistä malliratkaisut, joten opiskelija pystyy vertaamaan koko ajan omaa suoritustaan ja osaamistaan opintojakson tavoitteisiin.
osakokeita pidetään 2 kpl, joista kummastakin max. on 24 pistettä. Nämä osakokeet ajoittuvat opintojaksolle siten, että ensimmäinen on jakson puolivälissä ja toinen jakson lopussa. Myös osakokeisiin jaetaan malliratkaisut opiskelijoiden nähtäväksi.
lopputentissä arvioidaan ainoastaan lopputentissä menestymistä. Hyväksyttyyn arvosanaan vaaditaan 40% maksimipisteistä ja mitä enemmän pisteitä saa, sitä parempi arvosanasta tulee.
Arviointikriteerit, tyydyttävä (1-2)
Opiskelija osaa määrittää dioidin tilan diodipiireissä ja tunnistaa diodin merkityksen sekä tasasuuntaus- että rajoitinpiireissä. Opiskelija osaa laskea DC virrat ja jännitteet yhden operaatiovahvistimen piirissä. Opiskelija pystyy tekemään DC analyysin sekä bipolaaritransistoripiirissä että FETpiirissä.
Arviointikriteerit, hyvä (3-4)
Opiskelija osaa piirtää diodipiirin virrat ja jännitteet ajan funktiona sekä tasasuuntaus- että rajoitinpiireissä. Opiskelija osaa piirtää operaatiovahvistinpiireissä lähtösuureita tulosuureiden funktiona ja pystyy analysoimaan operaatiovahvistimella toteutetun suodattimen. Opiskelija osaa analysoida bipolaaritransistorivahvistimen ja pystyyy piirtämään lähtösuureita ajan funktiona myös FETpiireissä.
Arviointikriteerit, kiitettävä (5)
Opiskelija osaa piirtää minkä tahansa somupisteen jännitteen tai minkä tahansa virran ajan funktiona diodipiireissä. Osaa tehdä taajuusanalyysin operattiovahvistinpiirille ja pystyy analysoimaan myös usemman operaatiovahvistimen muodostaman elektroniikkapiirin. Osaa määrittää bipolaaritransistoripiirin tulo- ja lähtöimpedanssin sekä virta- ja jännitevahvistuksen. Osaa verrata FET- ja bipolaaritransistorivahvistimia ja tunnistaa molempien hyvät ja huonot puolet.