Siirry suoraan sisältöön

Elektroniikkapiirit (5 op)

Toteutuksen tunnus: 5051120-3001

Toteutuksen perustiedot


Ilmoittautumisaika

03.12.2018 - 14.01.2019

Ajoitus

07.01.2019 - 30.04.2019

Opintopistemäärä

5 op

Toteutustapa

Lähiopetus

Yksikkö

Tekniikka ja liiketoiminta

Toimipiste

Kupittaan kampus

Opetuskielet

  • Suomi

Paikat

0 - 35

Koulutus

  • Tieto- ja viestintätekniikan koulutus

Opettaja

  • Mauri Suhonen

Ryhmät

  • PTIVIS17
    Tieto- ja viestintätekniikka S17
  • ICTMODel
    AMOD Elektroniikka

Tavoitteet

Opintojakson suoritettuaan opiskelija osaa: selittää elektroniikan peruskäsitteet soveltaa sähkötekniikan peruslakeja yksinkertaisen kytkennän analysoimiseksi tunnistaa elektroniikan peruskomponentit ja käyttää niitä yksinkertaisissa kytkennöissä käyttää oikein elektroniikan peruskäsitteitä suullisessa ja kirjallisessa esityksessään.

Sisältö

diodipiirit Zener-piirit operaatiovahvistimen peruskytkennät bipolaariset transistorit JFET- ja MOSFET-piirit

Oppimateriaalit

Mauri Suhonen: Analogisten piirien analyysi
ja
SEDRA/SMITH: Microelectronic circuits.

Opetusmenetelmät

lähiopetus, tehtäväperustaisuus, itsenäinen työskentely, tiimityö

Pedagogiset toimintatavat ja kestävä kehitys

Opintojaksolla opiskellaan elektroniikan perustaitoja, joita ovat yksinkertaisten piirien analysointi ja mitoitus. Näiden taitojen tarkoitus on parantaa opiskelijan valmiuksia ennen kaikkea elektroniikan suuntautumisvaihtoehdon jatko-opinnoissa. Myös sulautettuihin järjestelmiin suuntautuva tarvitsee elektroniikan perustaitoja I/O-piirien rakentamiseen. Tehtävien ratkomisessa opiskelijoita kannustetaan tiimityöskentelyyn. Opintojaksolla käytetään digitaatista opiskelumateriaalia ja jotain tarkoitukseen sopivaa simulaattoria.

Toteutuksen valinnaiset suoritustavat

Opintojakson voi suorittaa kotitehtävillä ja osakokeilla tai loppukokeella. Ensimmäisessä vaihtoehdossa arvosana muodostuu sekä osakokeista että kotitehtävistä kerätyistä pisteistä, toisessa vaihtoehdossa vain loppukokeesta saadut pisteet ratkaisevat.

Opiskelijan ajankäyttö ja kuormitus

Kontaktitunnit 42h. Itsenäinen opiskelu ja opintojakson aikaiset kotitehtävät koko opintojakson ajan + osakokeisiin valmistautuminen 93h.

Sisällön jaksotus

tammikuu - huhtikuu 2019
tammikuu Diodit ja diodipiirit
helmikuu Operaatiovahvistimet ja niiden sovellukset
maaliskuu Bipolaaritransistorit kytkiminä ja vahvistimina
huhtikuu MOSFETit ja niiden sovellukset

Arviointiasteikko

H-5

Arviointimenetelmät ja arvioinnin perusteet

Kotitehtävät (max 24p, lineaarinen taulukko). Arvioidaan jatkuvasti opintojakson aikana. Opiskelijalle jaetaan myös kaikista kotitehtävistä malliratkaisut, joten opiskelija pystyy vertaamaan koko ajan omaa suoritustaan ja osaamistaan opintojakson tavoitteisiin.
osakokeita pidetään 2 kpl, joista kummastakin max. on 24 pistettä. Nämä osakokeet ajoittuvat opintojaksolle siten, että ensimmäinen on jakson puolivälissä ja toinen jakson lopussa. Myös osakokeisiin jaetaan malliratkaisut opiskelijoiden nähtäväksi.
lopputentissä arvioidaan ainoastaan lopputentissä menestymistä. Hyväksyttyyn arvosanaan vaaditaan 40% maksimipisteistä ja mitä enemmän pisteitä saa, sitä parempi arvosanasta tulee.

Arviointikriteerit, tyydyttävä (1-2)

Opiskelija osaa määrittää dioidin tilan diodipiireissä ja tunnistaa diodin merkityksen sekä tasasuuntaus- että rajoitinpiireissä. Opiskelija osaa laskea DC virrat ja jännitteet yhden operaatiovahvistimen piirissä. Opiskelija pystyy tekemään DC analyysin sekä bipolaaritransistoripiirissä että FETpiirissä.

Arviointikriteerit, hyvä (3-4)

Opiskelija osaa piirtää diodipiirin virrat ja jännitteet ajan funktiona sekä tasasuuntaus- että rajoitinpiireissä. Opiskelija osaa piirtää operaatiovahvistinpiireissä lähtösuureita tulosuureiden funktiona ja pystyy analysoimaan operaatiovahvistimella toteutetun suodattimen. Opiskelija osaa analysoida bipolaaritransistorivahvistimen ja pystyyy piirtämään lähtösuureita ajan funktiona myös FETpiireissä.

Arviointikriteerit, kiitettävä (5)

Opiskelija osaa piirtää minkä tahansa somupisteen jännitteen tai minkä tahansa virran ajan funktiona diodipiireissä. Osaa tehdä taajuusanalyysin operattiovahvistinpiirille ja pystyy analysoimaan myös usemman operaatiovahvistimen muodostaman elektroniikkapiirin. Osaa määrittää bipolaaritransistoripiirin tulo- ja lähtöimpedanssin sekä virta- ja jännitevahvistuksen. Osaa verrata FET- ja bipolaaritransistorivahvistimia ja tunnistaa molempien hyvät ja huonot puolet.