Electronic Circuits (5 cr)

Evaluation scale

H-5

Content scheduling

tammikuu - huhtikuu 2019
tammikuu Diodit ja diodipiirit
helmikuu Operaatiovahvistimet ja niiden sovellukset
maaliskuu Bipolaaritransistorit kytkiminä ja vahvistimina
huhtikuu MOSFETit ja niiden sovellukset

Objective

Having successfully completed the course, a student will be able to demonstrate knowledge and understanding of: constructing various types of electronic circuitry observation and measurement how electronic instruments work.

Content

clipping and clamping biasing, base bias emitter feedback bias junction FET- Introduction JFET amplifiers MOSFET parameters and application operational amplifiers

Materials

Mauri Suhonen: Analogisten piirien analyysi
ja
SEDRA/SMITH: Microelectronic circuits.

Teaching methods

lähiopetus, tehtäväperustaisuus, itsenäinen työskentely, tiimityö

Pedagogic approaches and sustainable development

Opintojaksolla opiskellaan elektroniikan perustaitoja, joita ovat yksinkertaisten piirien analysointi ja mitoitus. Näiden taitojen tarkoitus on parantaa opiskelijan valmiuksia ennen kaikkea elektroniikan suuntautumisvaihtoehdon jatko-opinnoissa. Myös sulautettuihin järjestelmiin suuntautuva tarvitsee elektroniikan perustaitoja I/O-piirien rakentamiseen. Tehtävien ratkomisessa opiskelijoita kannustetaan tiimityöskentelyyn. Opintojaksolla käytetään digitaatista opiskelumateriaalia ja jotain tarkoitukseen sopivaa simulaattoria.

Completion alternatives

Opintojakson voi suorittaa kotitehtävillä ja osakokeilla tai loppukokeella. Ensimmäisessä vaihtoehdossa arvosana muodostuu sekä osakokeista että kotitehtävistä kerätyistä pisteistä, toisessa vaihtoehdossa vain loppukokeesta saadut pisteet ratkaisevat.

Student workload

Kontaktitunnit 42h. Itsenäinen opiskelu ja opintojakson aikaiset kotitehtävät koko opintojakson ajan + osakokeisiin valmistautuminen 93h.

Evaluation methods and criteria

Kotitehtävät (max 24p, lineaarinen taulukko). Arvioidaan jatkuvasti opintojakson aikana. Opiskelijalle jaetaan myös kaikista kotitehtävistä malliratkaisut, joten opiskelija pystyy vertaamaan koko ajan omaa suoritustaan ja osaamistaan opintojakson tavoitteisiin.
osakokeita pidetään 2 kpl, joista kummastakin max. on 24 pistettä. Nämä osakokeet ajoittuvat opintojaksolle siten, että ensimmäinen on jakson puolivälissä ja toinen jakson lopussa. Myös osakokeisiin jaetaan malliratkaisut opiskelijoiden nähtäväksi.
lopputentissä arvioidaan ainoastaan lopputentissä menestymistä. Hyväksyttyyn arvosanaan vaaditaan 40% maksimipisteistä ja mitä enemmän pisteitä saa, sitä parempi arvosanasta tulee.

Assessment criteria, satisfactory (1-2)

Opiskelija osaa määrittää dioidin tilan diodipiireissä ja tunnistaa diodin merkityksen sekä tasasuuntaus- että rajoitinpiireissä. Opiskelija osaa laskea DC virrat ja jännitteet yhden operaatiovahvistimen piirissä. Opiskelija pystyy tekemään DC analyysin sekä bipolaaritransistoripiirissä että FETpiirissä.

Assessment criteria, good (3-4)

Opiskelija osaa piirtää diodipiirin virrat ja jännitteet ajan funktiona sekä tasasuuntaus- että rajoitinpiireissä. Opiskelija osaa piirtää operaatiovahvistinpiireissä lähtösuureita tulosuureiden funktiona ja pystyy analysoimaan operaatiovahvistimella toteutetun suodattimen. Opiskelija osaa analysoida bipolaaritransistorivahvistimen ja pystyyy piirtämään lähtösuureita ajan funktiona myös FETpiireissä.

Assessment criteria, excellent (5)

Opiskelija osaa piirtää minkä tahansa somupisteen jännitteen tai minkä tahansa virran ajan funktiona diodipiireissä. Osaa tehdä taajuusanalyysin operattiovahvistinpiirille ja pystyy analysoimaan myös usemman operaatiovahvistimen muodostaman elektroniikkapiirin. Osaa määrittää bipolaaritransistoripiirin tulo- ja lähtöimpedanssin sekä virta- ja jännitevahvistuksen. Osaa verrata FET- ja bipolaaritransistorivahvistimia ja tunnistaa molempien hyvät ja huonot puolet.